Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.08a
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- Pages.41-41
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- 2010
Cobalt 박막의 선택적 증착을 위한 MOCVD공정 연구
- Seo, Gyeong-Cheon ;
- Sin, Jae-Su ;
- Yun, Ju-Yeong ;
- Kim, Jin-Tae ;
- Sin, Yong-Hyeon ;
- Lee, Chang-Hui ;
- Gang, Sang-U
- 서경천 (한국표준과학연구원 진공센터) ;
- 신재수 (대전대학교 신소재공학과) ;
- 윤주영 (한국표준과학연구원 진공센터) ;
- 김진태 (한국표준과학연구원 진공센터) ;
- 신용현 (한국표준과학연구원 진공센터) ;
- 이창희 (혜전대학) ;
- 강상우 (한국표준과학연구원 진공센터)
- Published : 2010.08.18
Abstract
반도체 소자의 선폭이 감소함에 따른 금속배선의 저항이 증가하면서 반도체 배선물질을 copper로 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 그러나 copper를 금속배선에 사용하게 되면 대기 상에서 노출 시 쉽게 산화가 일어나며 형성된 산화물의 미세조직이 치밀하지 못하여 계속적인 산화가 진행되고, 후속 열처리 공정 시 copper가 유전체로 확산되어 소자의 정상적인 작동을 방해하게 되는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 copper의 확산 및 산화를 방지하는 물질로 cobalt가 각광받고 있다. Cobalt는 낮은 저항과 열적 안정성이 우수하여 copper와의 연동에 문제가 없으며, 소자의 작동에도 영향을 미치지 않는다. Cobalt 박막의 적용을 위해 patterning 단계를 줄일 수 있는 선택적 증착공정의 개발도 요구되고 있다. 본 연구에서는 우수한 층덮힘(step coverage)과 양질의 박막을 증착할 수 있는 MOCVD 공정을 이용하였고, cobalt 전구체로서
Keywords