Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.261-261
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- 2010
BPSG 및 PSG CVD 공정 중 발생하는 오염입자 발생특성
- Na, Jeong-Gil ;
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Mun, Ji-Hun
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- Choe, Hu-Mi ;
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Kim, Tae-Seong
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Choe, Jae-Bung
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Im, Seong-Gyu
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Park, Sang-Hyeon
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- Lee, Heon-Jeong ;
- Go, Yong-Gyun ;
- Lee, Sang-Mi ;
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Yun, Ju-Yeong
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Gang, Sang-U
- 나정길 (성균관대학교 기계공학부) ;
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문지훈
(성균관대학교 나노과학기술원) ;
- 최후미 (성균관대학교 나노과학기술원) ;
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김태성
(성균관대학교 기계공학부) ;
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최재붕
(성균관대학교 기계공학부) ;
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임성규
(나노종합팹센터) ;
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박상현
(나노종합팹센터) ;
- 이헌정 (삼성전자) ;
- 고용균 (삼성전자) ;
- 이상미 (삼성전자) ;
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윤주영
(한국표준과학연구원) ;
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강상우
(한국표준과학연구원)
- Published : 2010.02.17
Abstract
본 연구에서는 PBMS (Particle Beam Mass Spectrometer)와 ISPM (In-Situ Particle Monitor)을 연계하여 BPSG (Borophosphosilicate Glass) 및 PSG (Phosphosilicate Glass) 박막 증착을 위한 CVD (chemical vapor deposition) 공정 중 발생하는 오염입자 발생특성에 대해 비교 평가하였다. 소스는 TEB (Triethylborate), TEPO (Triethylphosphate) 및 TEOS (Tetraethoxysilane)를 사용하였고, 운반가스 및 반응가스로 He과
Keywords