Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.125-125
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- 2010
고온 GaN 버퍼층 성장방법을 이용한 비극성 a-plane GaN 성장 및 특성평가
- Park, Seong-Hyeon ;
- Kim, Nam-Hyeok ;
- Lee, Geon-Hun ;
- Yu, Deok-Jae ;
- Mun, Dae-Yeong ;
- Kim, Jong-Hak ;
- Yun, Ui-Jun
- 박성현 (서울대학교 재료공학부) ;
- 김남혁 (서울대학교 재료공학부) ;
- 이건훈 (서울대학교 재료공학부) ;
- 유덕재 (서울대학교 융합기술과학대학원 나노융합학과) ;
- 문대영 (서울대학교 재료공학부) ;
- 김종학 (서울대학교 재료공학부) ;
- 윤의준 (서울대학교 재료공학부)
- Published : 2010.02.17
Abstract
극성 [0001] 방향으로 성장된 질화물 기반의 LED (light emitting diode) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE)에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 InGaN/GaN이나 AlGaN/GaN 양자 우물구조를 GaN의 m-plane (1
Keywords