Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.116-116
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- 2010
MEE 기법으로 성장한 InGaAs 양자점의 크기 변화에 따른 광발광 특성분석
- Ha, Seung-Gyu ;
- Jo, Nam-Gi ;
- Song, Jin-Dong ;
- Park, Jae-Gyu ;
- Lee, Dong-Han ;
- Choe, Won-Jun ;
- Lee, Jeong-Il
- 하승규 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 조남기 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 송진동 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 박재규 (충남대학교 물리학과) ;
- 이동한 (충남대학교 물리학과) ;
- 최원준 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 이정일 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터)
- Published : 2010.02.17
Abstract
단일 양자점의 특성 분석 및 이를 활용한 단광자 광원 등으로의 응용에 있어서 표면밀도 및 크기 등이 의도대로 조절된 양자점 성장이 필수적이며, 이와 관련하여 근적외선 파장 영역에서 발광 성분을 갖는 InGaAs/GaAs 양자점 시료를 MEE (Migration Enhanced Epitaxy) 기법으로 성장하였다. 이 때, 30 초 120 초 사이의 migration enhancing time 변화에 의하여 약
Keywords