Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
- /
- Pages.116-116
- /
- 2010
MEE 기법으로 성장한 InGaAs 양자점의 크기 변화에 따른 광발광 특성분석
- Ha, Seung-Gyu ;
- Jo, Nam-Gi ;
-
Song, Jin-Dong
;
- Park, Jae-Gyu ;
-
Lee, Dong-Han
;
-
Choe, Won-Jun
;
-
Lee, Jeong-Il
- 하승규 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 조남기 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
-
송진동
(한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
- 박재규 (충남대학교 물리학과) ;
-
이동한
(충남대학교 물리학과) ;
-
최원준
(한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
-
이정일
(한국과학기술연구원 나노융합소자센터)
- Published : 2010.02.17
Abstract
단일 양자점의 특성 분석 및 이를 활용한 단광자 광원 등으로의 응용에 있어서 표면밀도 및 크기 등이 의도대로 조절된 양자점 성장이 필수적이며, 이와 관련하여 근적외선 파장 영역에서 발광 성분을 갖는 InGaAs/GaAs 양자점 시료를 MEE (Migration Enhanced Epitaxy) 기법으로 성장하였다. 이 때, 30 초 120 초 사이의 migration enhancing time 변화에 의하여 약
Keywords