Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

AlGaAs 위에 성장한 저밀도 InAs/AlGaAs 양자점

  • 조남기 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 하승규 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 박성준 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 임주영 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 송진동 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 최원준 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터) ;
  • 이정일 (한국과학기술연구원 나노융합소자센터)
  • Published : 2010.02.17
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Abstract

저밀도 양자점은 단일 광자 소자의 활성층으로 주목받고 있다. 단일 광자 소자의 연구를 위 해서는 단일광자를 측정하는 것이 필수적이며, 실리콘을 이용한 측정장비를 사용하는 것이 효율적이고 가격면에서 유리하다. 따라서, 일반적으로 적외선 영역에서 발광파장을 가지는 In(Ga)As/GaAs 양자점보다는 800nm보다 짧은 파장영역에서 발광특성을 가지는 양자점을 사용하는 것이 필수적이다. 본 연구에서는 AlGaAs 물질 위에 S-K 성장방법을 이용하여 InAs 양자점을 성장하였고, 그 발광특성을 분석하였다. 저온에서 측정한 PL 결과, InAs 양자점이 없는 시료의 경우 GaAs 기판에 의한 발광특성만 보이는데 비해, 양자점이 있는 시료는 740nm와 788nm에서 추가적인 발광특성을 보이는 것을 알 수 있다.

Keywords