한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)

한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

PC1D를 이용한 실리콘 태양전지의 도핑농도에 따른 IV 특성곡선 및 효율 분석

Analysis of the Silicon Solar cell According to the doping concentration IV characteristic curve and efficiency process using PC1D Tool

  • 이병로 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 권오신 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Lee, Byung-Ro (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University) ;
  • Han, Ji-Hyung (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dong-Soo (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University) ;
  • Kwon, Oh-Shin (School of Electronic and Information Eng. Kunsan National University)
  • 발행 : 2010.05.27
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

본 연구는 PC1D를 이용하여 태양전지 전류전압 특성곡선및 효율을 분석한 연구이다. 태양전지 전류전압 특성곡선에서 제4상한부분의 면적은 태양전지의 효율을 나타낸다. 곡선인자(Fill Factor)는 개방전압과 단락 전류의 곱에 대한 최대 출력전압과 최대 출력전류의 곱한 값의 비율이다. 본 논문은 태양전지의 최대 효율을 얻기 위해서 도핑 농도를 $1{\times}10^{14}cm^{-3}$부터 $1{\times}10^{17}cm^{-3}$까지 변화시키면서 태양전지의 전류전압 특성곡선 및 최대효율을 분석하였다.

키워드