Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2010.05a
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- Pages.779-781
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- 2010
Trench D-MOS using MicroTec oxide according to the size of the current - voltage characteristics
MicroTec을 이용한 Trench D-MOS의 산화막크기에 따른 전류-전압 특성
- Lim, Se-Hoon (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
- Han, Ji-Hyeong (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
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Jung, Hak-Kee
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
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Lee, Jong-In
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
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Cheong, Dong-Soo
(Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
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- Kwon, Oh-Sin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
- 임세훈 (군산대학교 전자공학과) ;
- 한지형 (군산대학교 전자공학과) ;
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정학기
(군산대학교 전자공학과)
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이종인
(군산대학교 전자공학과)
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정동수
(군산대학교 전자공학과)
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- 권오신 (군산대학교 전자공학과)
- Published : 2010.05.27
Abstract
Trench D-MOS(double-diffusion MOS)는 기존의 D-MOS를 대체한 것으로 전체 전류의 길이를 짧게 함으로써 온전압강하가 낮아지게 된다. 따라서 소자가 턴-온시에 전력소모가 작게 되며, 온저항과 트레이드 오프관계인 턴-오프 특성도 그다지 나빠지지 않아 트레이드 오프 특성도 개선되어지는 장점이 있다. 본 논문은 MicoroTec 시뮬레이션을 이용하여 Trench D-MOS의 산화벽을 다르게하여 전류-전압 특성을 연구하였다.
Keywords