한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2010.11a
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- Pages.59.1-59.1
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- 2010
비정질/결정질 이종접합 태양전지 에미터 및 후면전계층 최적화 연구
- Jeong, Dae Young ;
- Song, Jun Yong ;
- Kim, Chan Seok ;
- Kim, Kyung Min ;
- Koo, Hye Young ;
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Lee, Hi-Deok
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Song, Jinsoo
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Lee, Jeong Chul
- 정대영 (한국에너지기술연구원) ;
- 송준용 (한국에너지기술연구원) ;
- 김찬석 (한국에너지기술연구원) ;
- 김경민 (한국에너지기술연구원) ;
- 구혜영 (한국에너지기술연구원) ;
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이희덕
(충남대학교)
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송진수
(한국에너지기술연구원)
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이정철
(한국에너지기술연구원)
- Published : 2010.11.16
Abstract
이종접합 구조의 태양전지는 에미터 및 후면전계층으로 비정질 실리콘이 이용되고 있다. 본연구에서는 HWCVD를 이용하여 중성층 비정질 실리콘을 증착(10nm), 패시베이션된 n형 결정질 실리콘을 기판으로 PECVD법으로 에미터 층은 p형 비정질 실리콘을 후면 전계층은 n+형 비정질 실리콘을 증착하여 a-Si:H(p)/c-Si(n)/a-Si:H(n+)의 구조로 에미터 및 후면전계층의 조건에 따른 이종접합 태양전지를 제작, 특성을 분석하였다. 증착시간에 따라 에미터와 후면전계층의 두께를 조절하고 도펀트 가스(B2H6,PH3)의 유량에 따라 도핑 농도를 조절하였다. 공정 변수마다 MCLT 및 Implied Voc를 측정하였고, 태양전지 제작 후 도핑 농도에 따른 충진율을 비교, 분석하였다.