한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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- Pages.105.1-105.1
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- 2009
Programming/Erasing Characteristics of HfO2 Charge Trap Flash Memory with $SiO_2$ /$ZrO_2$ as Engineered Tunnel Barrier
- 유희욱 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정명호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 박군호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 김민수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정종완 (세종대학교 나노신소재 공학부) ;
- 조원주 (광운대학교 전자재료공학과)
- Yu, Hui-Uk ;
- Kim, Gwan-Su ;
- Jeong, Myeong-Ho ;
- Park, Gun-Ho ;
- Kim, Min-Su ;
- Jeong, Jong-Wan ;
- Jo, Won-Ju
- 발행 : 2009.02.11