Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2009.02a
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- Pages.105.1-105.1
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- 2009
Programming/Erasing Characteristics of HfO2 Charge Trap Flash Memory with $SiO_2$ /$ZrO_2$ as Engineered Tunnel Barrier
- Yu, Hui-Uk ;
- Kim, Gwan-Su ;
- Jeong, Myeong-Ho ;
- Park, Gun-Ho ;
- Kim, Min-Su ;
- Jeong, Jong-Wan ;
-
Jo, Won-Ju
- 유희욱 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정명호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 박군호 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 김민수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
- 정종완 (세종대학교 나노신소재 공학부) ;
-
조원주
(광운대학교 전자재료공학과)
- Published : 2009.02.11
Abstract
Keywords