한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.06a
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- Pages.93-93
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- 2009
Passivation Quality of ALD $Al_2O_3$ Thin Film via Silicon Oxide Interfacial Layer for Crystalline Silicon Solar Cells
실리콘 산화막의 두께에 따른 ALD $Al_2O_3$ 박막의 passivation 효과
- Kim, Young-Do ;
- Park, Sung-Eun ;
- Tark, Sung-Ju ;
- Kang, Min-Gu ;
- Kwon, Soon-Woo (TS Corporation R&D Center) ;
- Yoon, Se-Wang (TS Corporation R&D Center) ;
- Kim, Dong-Hwan
- 김영도 (고려대학교 신소재공학부) ;
- 박성은 (고려대학교 신소재공학부) ;
- 탁성주 (고려대학교 신소재공학부) ;
- 강민구 (고려대학교 신소재공학부) ;
- 권순우 ;
- 윤세왕 ;
- 김동환 (고려대학교 신소재공학부)
- Published : 2009.06.25
Abstract
실리콘 태양전지의 효율 향상을 위한 노력의 일환으로 결정질 실리콘 웨이퍼 표면passivation 물질 중 Atomic Layer Deposition (ALD)을 이용하여 증착한
Keywords