한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.11a
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- Pages.397-397
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- 2009
열선 CVD를 이용한 a-Si:H의 c-Si표면 passivation 및 열처리 효과 분석
- Jeong, Dae-Young (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
- Kim, Chan-Seok (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
- Song, Jun-Yong (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
- Wang, Jin-Suk (Semiconductors and Circuit System, Chungnam National University) ;
- Park, Sang-Hyun (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
- Lee, Jeong-Chul (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research)
- 정대영 (한국에너지기술연구원) ;
- 김찬석 (한국에너지기술연구원) ;
- 송준용 (한국에너지기술연구원) ;
- 왕진석 (충남대학교) ;
- 박상현 (한국에너지기술연구원) ;
- 이정철 (한국에너지기술연구원)
- Published : 2009.11.25
Abstract
c-Si wafer에 HWCVD로 증착된 a-Si:H 박막은 초기에 낮은 passivation 특성을 가지나 열처리 공정을 통해 효과적인 passivation을 가진다. 열처리 공정은 온도와 시간에 따라 큰 차이를 보인다. 이에 열선CVD를 이용하여 n type의 c-Si 기판에 a-Si:H을 증착하여 열처리 온도에 따른 Minority carrier Lifetime를 QSSPC를 통해 passivation 특성을 측정하였다. 온도는