한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.11a
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- Pages.370-370
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- 2009
Fabrication of heterojunction silicon solar cell using HWCVD passivation layer
HWCVD 패시베이션 층을 적용한 이종접합 태양전지 제작
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Kang, Min-Gu
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Tark, Sung-Ju
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- Lee, Sung-Hun ;
- Kim, Chan-Seok ;
- Jeong, Dae-Young ;
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Lee, Jeong-Chul
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Kim, Dong-Hwan
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강민구
(고려대학교 신소재공학과) ;
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탁성주
(고려대학교 신소재공학과) ;
- 이승훈 (고려대학교 신소재공학과) ;
- 김찬석 (한국에너지기술연구원 태양전지연구센터) ;
- 정대영 (한국에너지기술연구원 태양전지연구센터) ;
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이정철
(한국에너지기술연구원 태양전지연구센터) ;
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김동환
(고려대학교 신소재공학과)
- Published : 2009.11.25
Abstract
이종접합태양전지는 구조적 대칭성 때문에 웨이퍼 두께가 감소하여도 보우잉이 일어나지 않는 특징이 있으며, 산요에서 개발한 이종접합태양전지의 효율이 22% 이상을 보이고 있다. 이종접합태양전지에서 비정질 실리콘과 실리콘 웨이퍼의 계면에 따라 이종접합태양전지의 특성이 크게 변화한다. 본 연구에서는 패시베이션 층으로 사용되는 비정질 실리콘을 hot wire chemical vapor deposition(HWCVD)을 사용하여 이종접합태양전지에 적용하였으며 기존의 plasma-enhanced chemical vapor deposition을 이용한 비정질 실리콘을 적용한 이종접합태양전지와 비교하였다. 패시베이션 특성을 확인하기 위해 quasi-steady state photoconductance로 minority carrier lifetime을 측정하였고, 태양전지 특성평가로는 암전류특성 및 광전류특성을 사용하였다. HWCVD를 사용하여 패시베이션한 태양전지의 경우 16.1%의 효율을 보였다.