한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

MOCVD 법에 의한 CdTe/Si 박막성장

MOCVD of CdTe thin films on Si substrates

  • 김광천 (한국과학기술연구원 재료연구본부 박막재료연구센터) ;
  • 권성도 ;
  • 최지환 ;
  • 김현재 (연세대학교 전기전자공학부) ;
  • 김진상 (한국과학기술연구원 재료연구본부 박막재료연구센터)
  • Kim, Kwang-Chon (Department of Thin-film materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST)) ;
  • Kwon, Sung-Do ;
  • Choi, Ji-Hwan ;
  • Kim, Hyun-Jae (Department of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Jin-Sang (Department of Thin-film materials research center, Korea Institute of Science and Technology(KIST))
  • 발행 : 2009.06.18
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초록

CdTe는 에너지밴드갭이 1.45eV인 직접천이헝 II-VI 화합물 반도체로서 높은 광홉수율과 가시광 영역의 에너지밴드캡으로 태양전지, x-선 검출기 등에 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)으로 Si 기판위에 CdTe 에피 박막을 성장 하고자 하였다. Cd, Te의 금속유기 화합물로는 Dimethylcadmium(DmCd)과 Diisopropyltellurium(DIPTe)을 사용하였다. 기판으로는 Si 을 사용하였으며 박막성장 온도를 $360^{\circ}C\;{\sim}\;500^{\circ}C$로 제어하여 에피박막이 형성되는 조건을 얻고자 하였다. $360^{\circ}C$, $450^{\circ}C$에서 성장된 CdTe박막은 다양한 방향이 존재하는 다결정 구조 였으며 $500^{\circ}C$의 경우 단결정 에피 박막 성장이 이루어졌음을 확인하였다. 본 연구를 통한 CdTe 에피박막은 기존의 열증착 등으로 제조되는 다결정 CdTe 박막과 비교하여 높은 에너지변환 효율을 얻을 것으로 기대된다.

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