Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Electrical properties of FET device using ZnO nanowire

ZnO nanowire를 이용한 FET소자의 전기적 특성

  • Oh, Won-Seok (Department of Advanced materials Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Jang, Gun-Eik (Department of Advanced materials Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Lee, In-Seong (Division of Information and Communication, Chungbuk National University) ;
  • Kim, Kyeong-Won (Center for Energy Materials Research, Korea Institute of Science and Technology) ;
  • Lee, Sang-Yeol (Center for Energy Materials Research, Korea Institute of Science and Technology)
  • 오원석 (충북대학교 신소재공학과) ;
  • 장건익 (충북대학교 신소재공학과) ;
  • 이인성 (충북대학교 정보통신공학) ;
  • 김경원 (한국과학기술연구원 에너지재료연구단) ;
  • 이상열 (한국과학기술연구원 에너지재료연구단)
  • Published : 2009.06.18
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Abstract

본 연구에서는 HW-PLD(Hot-walled Pulsed Laser Deposition) 법을 이용하여 ZnO 나노와이어를 $Al_2O_3$ 기판 위에 성장하였다. 성장된 ZnO 나노와이어는 SEM, XRD, PL 분석을 통하여 구조적 특성을 확인하였으며, 성장된 나노와이어를 photolithography 공정을 통하여 FET(Field Effect Transistor)소자를 제작하였다. 제작된 소자의 I-V 특성 측정 결과 Ti/Au 전극과 ZnO nanowire 채널 간에 ohmic 접합이 형성된 것을 확인하였으며 게이트 전압의 증가에 따라 소스와 드레인 사이의 전류가 증가하는 전형적인 n-type FET소자 특성을 나타내었다.

Keywords

Acknowledgement

Supported by : 교육과학기술부