한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.414-414
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- 2009
나노스피어 리소그래피를 이용한 GaN V-LED의 외부양자효율 향상
The Enhancement of External Quantum Efficiency in GaN V-LED Using Nanosphere Lithography
- Yang, Hoe-Young (Chonnam National University) ;
- Cho, Myeong-Hwan (Wavesquare Inc.) ;
- Lee, Hyun-Yong (Chonnam National University)
- 발행 : 2009.06.18
초록
나노스피어 리소그래피는 기존의 리소그래피 방법에 비해 나노 크기 패턴을 제작하는데 공정이 간단하며 재현성있게 대면적에 패터닝이 가능하다는 장점이 있다. 본 연구에서는 Vertical LED(V-LED)의 External quantum efficiency 향상을 위하여 나노스피어 리소그래 피를 이용하여 V-LED의 n-GaN 표면을 패터닝을 하였다. n-GaN 위에 Sputter를 이용하여
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