한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.253-254
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- 2009
Ti가 함유된 Active Filler Metal을 이용한 $Al_2O_3/Al_2O_3$ Brazing 반응층의 조성과 Ti 거동에 관한 연구
A study about composition of $Al_2O_3/Al_2O_3$ brazing reaction layer and behavior of Ti using active filler metal
- 손원근 ((주)유니크코리아 NI 부설연구소) ;
- 장성진 ((주)유니크코리아 NI 부설연구소) ;
- 김은섭 (동의대학교) ;
- 문형신 (동의대학교) ;
- 김경민 (동의대학교) ;
- 박성현 (동의대학교) ;
- 신병철 (동의대학교)
- Son, Won-Geon (Unique Korea co., ctd) ;
- Chang, Sung-Chin (Unique Korea co., ctd) ;
- Kim, Eun-Sup (Dong-Eui Univ) ;
- Moon, Hung-Sin (Dong-Eui Univ) ;
- Kim, Kyung-Min (Dong-Eui Univ) ;
- Park, Sung-Hyun (Dong-Eui Univ) ;
- Shin, Byoung-Chu (Dong-Eui Univ)
- 발행 : 2009.06.18
초록
본 연구는 다결정 알루미나 소결체와 사파이어웨이퍼(sapphire wafer)의 견고한 접합을 위해 활성금속 Ti가 함유된 Active Filler Metal을 사용하였고, 이를 브레이징한 후 접합 반응층과 Ti 거동 특성에 관한 것이다. 브레이징 (brazing)은 Ar 분위기 종에