한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

Pulsed-PECVD를 이용한 SiN 박막의 $SiH_4-NH_3$에서의 상온 증착: Duty rntio의 이온에너지와 굴절률에의 영향

SiN film deposition using by a Pulsed-PECVD at room-temperature : Effect of Duty ratio on Ion energy and Refractive index

  • 김수연 (세종대학교 전자공학과) ;
  • 김병환 (세종대학교 전자공학과)
  • 발행 : 2009.06.18
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초록

SiN 박막을 Pulsed-PECVD를 이용하여 증착하였다. 박막특성으로는 굴절률, 플라즈마의 특성으로는 이온 에너지 분포를 duty ratio의 함수로 분석하였다. 50-100%의 범위에서 duty ratio의 감소에 따라 고 이온 에너지는 크게 증가하였으며, 반대로 저 이온 에너지는 감소되었다. 굴절률은 duty ratio의 감소에 따라 증가되었으며, 모든 duty ratio의 변화에서 1.75-1.81 사이에서 변화하였다. 40-90%의 duty ratio에서 저 이온 에너지 플럭스보다 고 이온 에너지 플럭스가 높았다. 한편, 굴절률의 변화는 $N_h$의 변화에 가장 밀접하게 연관되어 있음을 확인할 수 있었다.

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