Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The Formation and Characteristics of Titanium Germanide with Cr capping layer on n-Ge(100) Substrate

Cr capping layer를 이용한 n-Ge(100) 기판에서의 Ti germanide 형성과 특성에 관한 연구

  • Mun, N.J. (Semiconductor Physics Research Center) ;
  • Choi, C.J. (School of Semiconductor and Chemical Engineering) ;
  • Shim, K.H. (Chonbuk National University) ;
  • Park, D.S. (Semiconductor Physics Research Center) ;
  • Yang, H.Y. (Semiconductor Physics Research Center) ;
  • Jeong, M.R. (Semiconductor Physics Research Center) ;
  • Yoon, C.J. (Chonbuk National University)
  • Published : 2009.06.18
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Abstract

Cr capping layer를 이용하여 Titanium germanide의 열적 안정성을 향상시키는 연구를 수행하였다. n-type Ge(100) 기판 위에 전자빔 증착기를 이용하여 30nm 두께의 Ti와 Cr capping layer를 증착하고 $400\;^{\circ}C$에서 $800\;^{\circ}C$까지 30초간 N2 분위기로 급속 열처리하여 Ti germanide를 형성하였다. XRD결과로부터 Cr capping layer의 유무에 관계 없이 Ti germanide가 형성된 것을 관찰할 수 있었다. Ge 기판 위에 CTLM 패턴을 형성하고 실험을 진행하여 Ti germanide의 I-V 측정 데이터를 통해 Ohmic 특성을 알아보았고, contact resistance, sheet resistance, specific contact resistance를 구하였다.

Keywords