Acknowledgement
Supported by : 지식경제부
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
- /
- Pages.143-143
- /
- 2009
A Design of 2.5kV Power IGBT for High Power
2.5kV급 Power IGBT 소자의 설계 및 제작에 관한 연구
-
Kang, Ey-Goo
(Far East Univ. School of computer information)
;
-
Ann, Byoung-Sup
(Far East Univ. School of computer information)
;
- Nam, Tae-Jin (Far East Univ. School of computer information) ;
-
Kim, Bum-June
(Far East Univ. School of computer information)
;
- Lee, Young-Hon (Far East Univ. School of computer information) ;
-
Chung, Hun-Suk
(Far East Univ. School of computer information)
- Published : 2009.06.18
Abstract
본 논문은 2500V급 planar type의 NPT(Nun-Punch Through)형 IGBT설계 및 제작에 앞서 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)소자가 갖는 구조적 변수가 전기적 특성 (Breakdown Voltage, Turnoff Time, Saturation Voltage, 등)결과에 미치는 영향을 분석하여 IGBT 소자가 갖는 구조적 손실을 최적화 하는데 목표를 두었다. 최적화의 진행은 공정 시뮬레이터인 Tsuprem4와 디바이스 분석 시뮬레이터인 MEDICI를 이용하여 소자가 갖는 각각의 parameter값이 전기적 특성에 미치는 영향을 분석함으로 진행 되어졌으며, 향후 고속철 등과 같은 대용량 산업에 기여할 것으로 판단된다.