급속열처리 조건에 따른 II-VI 화합물 태양전지용 CdS 박막의 특성변화

Effect of Rapid Thermal Process on Properties of CdS Thin Films for II-VI Compound Solar Cell

  • 최시혁 (충주대학교 전자공학과) ;
  • 박승범 (충주대학교 전자공학과) ;
  • 김정연 (충주대학교 전자공학과) ;
  • 송우창 (충주대학교 차세대 BINT 신기술연구소) ;
  • 임동건 (충주대학교 전자공학과)
  • 발행 : 2009.06.18

초록

상온에서 밴드갭이 2.42 eV의 에너지를 가지며 직접 에너지 밴드갭을 갖는 고감도의 광전도체로 태양전지의 광투과 물질로 각광을 받고 있으며 광전도 cell로 연구되고 있는 CdS(Cadmium sulfide)를 용액 성장법(CBD)으로 제조하여 박막의 결정립의 향상과 박막내의 결함 등을 제거하기 위해 RTP(Rapid Thermal Process)를 이용하여 열처리 분위기 $N_2$, 처리시간 10분을 기준으로 열처리온도 ($300\;^{\circ}C$, $400\;^{\circ}C$, $500\;^{\circ}C$)를 변화시키며 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 캐리어 밀도가 급격히 낮아지고 이동도가 증가한 $500\;^{\circ}C$에서 $1.29\times10^3\;{\Omega} m$ 비저항을 나타냈다. 가시광선 영역에서 76.28%의 투과율을 보이는 특성을 나타내었다.

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