한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.23-23
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- 2009
HRTEM을 이용한 비극성 GaN의 구조적 특성 분석
Structural characterization of nonpolar GaN using high-resolution transmission electron microscopy
- 공보현 (성균관대학교) ;
- 김동찬 (성균관대학교) ;
- 김영이 (성균관대학교) ;
- 안철현 (성균관대학교) ;
- 한원석 (성균관대학교) ;
- 최미경 (성균관대학교) ;
- 배영숙 (성균관대학교) ;
- 우창호 (성균관대학교) ;
- 조형균 (성균관대학교) ;
- 문진영 (경북대학교) ;
- 이호성 (경북대학교)
- Kong, Bo-Hyun (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Kim, Dong-Chan (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Kim, Young-Yi (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Ahn, Cheol-Hyoun (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Han, Won-Suk (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Choi, Mi-Kyung (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Bae, Young-Sook (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Woo, Chang-Ho (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Cho, Hyung-Koun (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Moon, Jin-Young (Kyungpook National Univ.) ;
- Lee, Ho-Seong (Kyungpook National Univ.)
- 발행 : 2009.06.18
초록
GaN-based nitride semiconductors have attracted considerable attention in high-brightness light-emitting-diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) covering from green to ultraviolet spectral range. LED and LD heterostructures are usually grown on (0001)-