The Study of Etching Characteristic of the ZnO thin film using a $CH_4/Ar$ Inductively Coupled Plasma

$CH_4/Ar$ 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특정에 관한 연구

  • 엄두승 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 허경무 (중앙대학교 재생에너지학과) ;
  • 박정수 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김동표 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Published : 2009.05.27

Abstract

본 논문에서는 As-doped ZnO 박막의 플라즈마 식각 특성 및 메커니즘에 관하여 실험을 수행하였다. p-type과 n-type ZnO 박막의 실험은 유도 결합 플라즈마 식각 장비(inductively coupled plasma; ICP)를 이용하였고, $CH_4/Ar$ 플라즈마의 가스의 비, RF 전력, DC 바이어스 전압과 공정 압력에 대한 식각 속도의 변화를 관찰 하였다.

Keywords