Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2009.05a
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- Pages.266-267
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- 2009
The Study of Etching Characteristic of the ZnO thin film using a $CH_4/Ar$ Inductively Coupled Plasma
$CH_4/Ar$ 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특정에 관한 연구
Abstract
본 논문에서는 As-doped ZnO 박막의 플라즈마 식각 특성 및 메커니즘에 관하여 실험을 수행하였다. p-type과 n-type ZnO 박막의 실험은 유도 결합 플라즈마 식각 장비(inductively coupled plasma; ICP)를 이용하였고,
Keywords