Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2009.07a
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- Pages.1698_1699
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- 2009
Study for Transient Pulse Radiation on pMOSFET
pMOSFET의 과도펄스 방사선 영향 연구
- Lee, Hyun-Jin (Korea Atomic Energy Research Institute) ;
- Oh, Seung-Chan (Korea Atomic Energy Research Institute) ;
-
Lee, Nam-Ho
(Korea Atomic Energy Research Institute)
;
- Lee, Min-Su (Korea Advanced Institute of Science and Technology) ;
- Lee, Yong-Soo (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
- Published : 2009.07.14
Abstract
핵폭발 등에서 방출되는 과도펄스(Transient pulse) 형태의 방사선이 반도체 소자에 조사되면 소자 내부에서는 짧은 시간에 다량의 전하가 생성된다. 이 전하들이 일정방향으로 증폭된 광전류가 소자의 고장과 오동작을 유발하거나 극단적으로 소진(Burn out)되는 원인이 된다. 본 연구에서는 과도방사선 펄스가 입사하였을 때 pMOSFET 소자 내에 생성되는 전자 정공 쌍(EHP)으로 인해 형성되는 광전류가 소자의 방사선 피해로 나타나는 과정 및 영향을 연구하기 위해 반도체 공정 시뮬레이터를 이용해 전하들의 거동과 광전류 크기를 시뮬레이션하고, 전자가속기에서 실측시험을 병행하였다. 가속기 주변의 전자장을 인한 큰 잡음으로부터 가속기 펄스신호에 의해 pMOSFET에서 발생된 소신호의 광전류를 측정하기 위해서 정밀 신호처리 회로를 구성하였다. 시뮬레이션과 실측시험에서의 결과 비교/분석에서 두 광전류 파형은 유사한 형태를 확인할 수 있었다.
Keywords