대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)
- 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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- Pages.579-580
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- 2008
향상된 impedance matching을 갖는 DDR3 ZQ Calibration 설계
Design DDR3 ZQ Calibration having improved impedance matching
- 최재웅 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 박경수 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 채명준 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 김지웅 (한양대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 곽계달 (한양대학교 정보디스플레이공학과)
- Choi, Jae-Woong (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
- Park, Kyung-Soo (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
- Chai, Myoung-Jun (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
- Kim, Ji-Woong (Department of Information Display Engineering Hanyang University) ;
- Kwack, Kae-Dal (Department of Information Display Engineering Hanyang University)
- 발행 : 2008.06.18
초록
DRAM설계시 DDR2에서부터 고속 동작으로 인해 반송파에 의한 신호외곡으로 impedance matching의 필요성이 대두되었다. 이로 인해 제안된 방법은 외부 Termination 저항(RZQ)을 기준으로 impedance matching을 위한 Rtt 저항의 생성이다.[1] 제안된 ZQ Calibration 회로는 기존의conventional ZQ Calibration 회로에 After ZQ calibration block을 추가하여 한 번 더 교정함으로써 마지막 PMOS Array와 NMOS Array 저항 값이 Termination 저항 값에 가깝도록 설계하였다. 따라 전력효율은 그대로 유지하면서
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