RF 스퍼터링을 이용하여 증착한 In-doped ZnO 박막에 관한 연구

Study on In-doped ZnO films deposited by RF magnetron sputtering

  • 박세훈 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 박상은 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 송풍근 (부산대학교, 재료공학과)
  • 발행 : 2008.11.19

초록

ZIO(Indium-doped Zinc Oxide) 박막은 고밀도, 고순도 ZIO($In_2O_3$ : 3.33, 6.50, 9.54, 12.44, 15.22 wt%) 타겟 5개를 이용하여 RF 마그네트론법으로 기판온도 RT에서 non-alkali 유리 기판위에 증착하였다. 스퍼터 가스로서는 Ar 가스를 사용하였다. $In_2O_3$ 9.54 wt%인 타겟을 이용하여 RT에서 증착한 박막이 가장 낮은 비저항 $9.13{\times}10^{-4}{\Omega}cm$를 나타내었다. ZIO 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절(XRD), 광학적 특성은 UV 측정장비를 사용하여 측정하였다.

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