The failure origin of PRAM device based on $Ge_2Sb_2Te_5$ with the oxygen impurity

• 정민철 (포항가속기연구소 빔라인부) ;
• 신현준 (포항가속기연구소 빔라인부) ;
• 홍성훈 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 황재연 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 배병주 (고려대학교 신소재공학과) ;
• 이헌 (고려대학교 신소재공학과)

• Jeong, Min-Cheol ;
• Sin, Hyeon-Jun ;
• Hong, Seong-Hun ;
• Hwang, Jae-Yeon ;
• Bae, Byeong-Ju ;
• Lee, Heon

• 발행 : 2008.08.20

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