$SiO_2/Si_3N_4$ 적층 터널링 산화막을 이용한 Nano Floating Gate 비휘발성 메모리 소자의 특성 개선

  • 조원주 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정종완 (세종대학교 나노신소재공학부)
  • Published : 2008.02.14