Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference (한국정보처리학회:학술대회논문집)

  • 2008.11a
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  • Pages.828-831
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  • 2008
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  • 2005-0011(pISSN)
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  • 2671-7298(eISSN)
Korea Information Processing Society (한국정보처리학회)
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Flash Translation Layer Using Adaptive N : N+K Mapping

적응적 N : N+K 매핑을 사용하는 플래시 변환 계층

  • Ki Tak Kim (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Dongkun Shin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 김기택 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 신동군 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2008.11.14
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Abstract

플래시 메모리(Flash Memory) 기술이 빠르게 발전하면서, 플래시 메모리 기반의 저장 장치가 개인용 컴퓨터나 엔터프라이즈 서버 시스템과 같은 시스템에 2차적인 저장 장치로써 사용가능해지고 있다. FTL(Flash Translation Layer)의 기본적인 기능은 플래시 메모리의 논리 주소를 물리 주소로 바꾸는 것임에도 불구하고, FTL의 효율적인 알고리즘은 성능과 수명에 상당한 효과를 가지고 있다. 이 논문에서는 MP3 플레이어와 디지털 카메라, SSDs(Solid-State Disk)와 같은 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory) 기반의 어플리케이션을 위한 N : N+K 매핑을 사용하는 새로운 FTL 설계를 제안한다. 성능에 영향을 미치는 매개변수들을 분류하여, 다양한 워크로드 분석을 기반으로 FTL을 조사했다. 우리가 제안하는 FTL을 가지고, 낸드 플래시 어플리케이션 가동에 따라 어떤 매개변수가 최대 성능을 낼 수 있는지 알아낼 수 있고, 그 변수들을 유연하게 조정하여 성능을 더 향상시킬 수 있다.

Keywords