Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Multi-finger MOSFET characteristics with channel width variation

게이트 폭의 변화에 따른 Multi-finger MOSFET의 특성 모델링

  • Yim, Hyuck-Sang (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) ;
  • Kang, Jung-Han (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) ;
  • Yun, Il-Gu (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)
  • 임혁상 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 강정한 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 윤일구 (연세대학교 전기전자공학과)
  • Published : 2008.06.19
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Abstract

이 논문에서는 $0.35{\mu}m$ 공정으로 제작된 MOSFET의 고주파 동작 특성을 분석하였다. Multi-finger 형태인 게이트 폭의 길이 변화에 따른 특성 변화를 BSIM3v3 모델과 외부 기생 파라미터를 포함한 lumped element를 이용해 모델링을 하였다. 또한 Multi-finger 게이트 구조에서 게이트 finger 수의 증가에 따라 생기는 특성 변화를 각각의 구조에 따라 추출된 주요 기생 파라미터의 변화를 통해 분석하였다.

Keywords