Effect of heat treatment on multiply-doped ZnO thin films

다중 도핑 한 Zno 박막의 열처리 영향

양이온 금속원소(Al)와 음이온 할로겐 원소(F) 및 수소를 다중 도핑한 ZnO 박막을 rf 마그네트론 스퍼터를 이용하여 코닝 글라스에 증착하여 도핑량과 진공중에서의 열처리에 따른 전기적 및 광학적 특성에 대하여 고찰하였다. 양이온이 할로겐 및 수소와 동시에 도핑될 시, 금속이온의 농도가 낮은 것이 TCO 박막의 전기적 특성 향상에 유리하게 작용하는 것으로 나타났으며, 동일한 F 함량에 대하여는 수소가 증가할수록 박막의 전기적 특성이 향상되는 것으로 나타났다. 그러나 열처리에 따른 F와 H의 거동은 반대로 나타나서, 최적의 상대적인 도핑 조성이 있음을 시사하였고, 36.2 $cm^2$/Vs의 높은 흘 이동도와 $2.9\times10^{-4}{\Omega}cm$의 낮은 비저항을 가지는 ZnO계 박막의 제조가 가능하였다.