Proceedings of the KAIS Fall Conference (한국산학기술학회:학술대회논문집)
- 2008.11a
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- Pages.201-203
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- 2008
Preparation of Polymer Light Emitting Diodes with PVK:Ir(ppy)$_3$ Emission Layer
PVK:Ir(ppy)$_3$ 발광층을 가지는 고분자 발광다이오드의 제작
- Lee, Hak-Min (Dept. of Electronics Engineering, Dankook University) ;
- Gong, Su-Cheol (Dept. of Electronics Engineering, Dankook University) ;
- Choi, Jin-Eun (Dept. of Electronics Engineering, Dankook University) ;
- Chang, Ho-Jung (Dept. of Electronics Engineering, Dankook University)
- Published : 2008.11.27
Abstract
ITO 투명전극을 양극으로 사용하고 PEDOT:PSS 고분자 물질위에 PVK와 Ir(ppy)3를 각각 host와 dopant로 사용하여 고분자 발광다이오드를 제작하였다. 전자 수송층의 역할로 TPBI, 음극으로 Al을 증착하여 최종적으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(ppy)3/TPBI/LiF/Al 구조를 갖는 녹색 인광 고분자 유기발광소자(PhPLED)를 제작하였다. 제작 된 소자의 발광부 dopant인 Ir(ppy)3도핑 농도에 따른 전기적 광학적 특성을 평가하였다. PVK:Ir(ppy)3를 host와 dopant system으로 dopant Ir(ppy)3의 도핑 양을 0.5 wt%에서2.5 wt%까지 씩 변화시키면서 최적의 농도를 찾고자 하였다. TPBI를 전자 수송층으로 사용 하였을 경우 최대 휘도는 약 8600 cd/
Keywords