A Gate Pattern Diagnosis Method of IGBT to Evaluate Internal Temperature

게이트 전압 패턴 분석을 통한 IGBT의 대전류 스위칭 특성 분석 방법

  • Kim, Bong-Seong (Applied high power Lab, Electric engineering department, Hanyang University) ;
  • Ko, Kwang-Cheol (Applied high power Lab, Electric engineering department, Hanyang University)
  • 김봉석 (한양대학교 전기공학과 대전력응용공학연구실) ;
  • 고광철 (한양대학교 전기공학과 대전력응용공학연구실)
  • Published : 2008.07.16

Abstract

본 논문은 IGBT의 transient turn off 시간 동안 게이트 전압의 변화를 측정하여 IGBT가 스위칭 조건에서 상당히 열적 스위칭 특성이 많은 영향을 미치는 파워 모듈레이터나 인버터 시스템에서 간단하게 IGBT의 내부 온도를 유추하는 방법을 제안하고 있다.

Keywords