Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2007.04a
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- Pages.49-50
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- 2007
Influence of VI/II flow ratio on the growth of ZnO thin films using MOCVD at low temperature
MOCVD 법으로 저온에서 성장한 ZnO 박막의 VI/II 족 유량비의 영향
- Gong, Bo-Hyeon ;
- Kim, Dong-Chan ;
- Kim, Yeong-Lee ;
- An, Cheol-Hyeon ;
- Gang, Si-U ;
- Jeon, Sang-Uk ;
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Han, Won-Seok
;
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Jo, Hyeong-Gyun
- 공보현 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
- 김동찬 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
- 김영이 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
- 안철현 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
- 강시우 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
- 전상욱 (성균관대학교, 신소재공학부) ;
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한원석
(성균관대학교, 신소재공학부)
;
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조형균
(성균관대학교, 신소재공학부)
- Published : 2007.04.05
Abstract
MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/II 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.
Keywords