Behavior of crystallization of Fe-Hf-N magnetic thin films

Fe-Hf-N 자성박막의 결정화 거동

  • 이명호 (서울산업대학교, 기계설계자동화공학부) ;
  • 이승협 (서울산업대학교, 안전과학연구소) ;
  • 최종운 (서울산업대학교, 안전과학연구소) ;
  • 강계명 (서울산업대학교, 신소재공학과)
  • Published : 2007.04.05

Abstract

역전파 신경망은 반도체 공정 모델링에 효과적으로 응용되고 있으며, 모델의 예측정확도를 향상시키기 위하여 Random Generator를 개발하였다. Random Generator의 효과가 기존이 모델에 비해 예측정확도의 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다. 모델링에 이용한 실험데이터는 다중 유도결합형 플라즈마 장비를 이용하여 수집하였다.

Keywords