기판인가전압에 따른 HfN 박막의 결정화 변화

  • 이진희 (울산대학교, 첨단소재공학부) ;
  • 박환진 (울산대학교, 첨단소재공학부) ;
  • 주대현 (울산대학교, 첨단소재공학부) ;
  • 최종인 (울산대학교, 첨단소재공학부) ;
  • 박지혜 (울산대학교, 첨단소재공학부) ;
  • 천희곤 (울산대학교, 첨단소재공학부)
  • Published : 2007.11.12

Abstract

역전파 신경망은 반도체 공정 모델링에 효과적으로 응용되고 있으며, 모델의 예측정확도를 향상시키기 위하여 Random Generator를 개발하였다. Random Generator의 효과가 기존의 모델에 비해 예측정확도의 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다. 모델링에 이용한 실험데이터는 다중 유도결합형 플라즈마 장비를 이용하여 수집하였다.

Keywords