Optical properties of InAs/lnGaAs dot-in-a-well structure grown by periodic arsine interruption method

  • 김정섭 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실) ;
  • 양창재 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실) ;
  • 심욱 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실) ;
  • 윤의준 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실)
  • 발행 : 2007.08.15