한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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- Pages.230-231
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- 2007
ALD 방식의 $Al_2O_3$ 게이트 절연막을 이용한 저 전압 유기 트랜지스터에 관한 연구
Low-Voltage Organic Thin-Film-Transistors on $Al_2O_3$ Gate Insulators Layer Fabricated by ALD Processing Method
- 형건우 (홍익대학교 신소재공학과) ;
- 소병수 (홍익대학교 신소재공학과) ;
- 이준영 (홍익대학교 신소재공학과) ;
- 박일홍 (홍익대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 최학범 (홍익대학교 정보디스플레이공학과) ;
- 황진하 (홍익대학교 신소재공학과) ;
- 김영관 (홍익대학교 정보디스플레이공학과)
- Hyung, Gun-Woo (Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
- So, Byung-Soo (Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
- Lee, Jun-Young (Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
- Park, Il-Houng (Dept. of Information Display, Hongik University) ;
- Choe, Hak-Beom (Dept. of Information Display, Hongik University) ;
- Hwang, Jin-Ha (Dept. of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
- Kim, Young-Kwan (Dept. of Information Display, Hongik University)
- 발행 : 2007.06.21
초록
we fabricated a pentacene thin-film transistor with an