한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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- Pages.177-177
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- 2007
마그네트론 스퍼터링에 의해 phosphorous 도핑된 ZnO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성의 연관성
Correlationship of the electrical, optical and structural properties of P-doped ZnO films grown by magnetron sputtering
- 안철현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
- 김영이 (성균관대학교 신소재공학과) ;
- 강시우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
- 공보현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
- 한윈석 (성균관대학교 신소재공학과) ;
-
조형균
(성균관대학교 신소재공학과)
- Ahn, Cheol-Hyoun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kim, Young-Yi (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kang, Si-Woo (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kong, Bo-Hyun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Han, Won-Suk (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
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Cho, Hyung-Koun
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University)
- 발행 : 2007.06.21
초록
ZnO는 3.36eV의 넓은 밴드캡을 가지는 II-IV족 반도체로써 태양전지, LED와 같은 광학적 소자로 이용이 기대가 되는 물질이다. 더욱이, 상온에서의 60meV에 해당하는 큰 엑시톤 에너지와 밴드캡 에지니어링이 가능하다는 장점 때문에 광학적 소자로 널리 이용되고 있는 GaN을 대체할 수 있는 물질로 주목을 받고 있다. 하지만, p-type ZnO는 형성이 어렵고 낮은 이동도와 케리어 농도의 특성을 보이고, 대기 중에 장시간 노출할 경우 n-type ZnO의 특성으로 돌아가는 불안정성을 보이고 있다. 최근에 몇몇의 연구자들에 의해 V족의 원소인 P(phosphorous), N(nitrogen), As(arsenic))를 도핑하여 p-type ZnO의 형성에 대한 논문이 발표되고 있다. 또한, V족 원소 중에 P는 p-type ZnO 형성에 효과적인 도핑 물질로 보고되 고 있다. 본 연구는 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 다양한 온도에서 성장된 P도핑 ZnO 박막의 특성에 대해 연구하였다. P도핑된 ZnO 박막은 사파이어 기판에 buffer층을 사용한 Insulator 특성의 ZnO박막위에 400, 500, 600,
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