한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
- /
- Pages.158-159
- /
- 2007
고밀도 플라즈마를 이용한 TaN/$HfO_2$ 게이트 구조의 식각 특성
Etching properties of TaN/$HfO_2$ gate structure by using high density plasma
- 김관하 (한국전자통신연구원) ;
-
김창일
(중앙대학교) ;
- 장명수 (충남대학교) ;
- 이주욱 (한국전자통신연구원) ;
-
김상기
(한국전자통신연구원) ;
-
구진근
(한국전자통신연구원) ;
-
강진영
(한국전자통신연구원)
- Kim, Gwan-Ha (ETRI) ;
-
Kim, Chang-Il
(Chung-Ang Univ.) ;
- Jang, Myoung-Soo (Chung-Nam National Univ.) ;
- Lee, Ju-Wook (ETRI) ;
-
Kim, Sang-Gi
(ETRI) ;
-
Koo, Jin-Gun
(ETRI) ;
-
Kang, Jin-Young
(ETRI)
- 발행 : 2007.06.21
초록
반도체 소자의 공정에 있어서 device scaling으로 인한 게이트 산화막 대체 유전체 (high-k)의 공정 개발 확보 방안 필요하다. 본 논문에서는