Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.507-509
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- 2007
The Analysis on dominant cause of Process Failure in TFT Fabrication
박막트랜지스터 제조에서 공정실패 요인 분석
- Hur, Chang-Wu (Dept. of Information, Electronic & Imaging Engineering, Mokwon Univ.)
- 허창우 (목원대학교 정보.전자.영상공학부)
- Published : 2007.06.01
Abstract
본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에
Keywords