The properties of low-k thin film deposited by PECVD using the mixed precursors of hexamethyldisiloxane and triethoxysilylallylethylether as the precursors

• 이성우 (성균관대학교 물리학과) ;
• 도상민 (성균관대학교 물리학과) ;
• 양재영 (성균관대학교 물리학과) ;
• 정동근 (성균관대학교 물리학과) ;
• 채희엽 (성균관대학교 화학공학과) ;
• 박건우 (서강대학교 화학공학과) ;
• 이희우 (성균관대학교 물리학과)

• Lee, Seong-U ;
• Do, Sang-Min ;
• Yang, Jae-Yeong ;
• Jeong, Dong-Geun ;
• Chae, Hui-Yeop ;
• Park, Geon-U ;
• Lee, Hui-U

• 발행 : 2007.02.06

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