Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
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- Pages.115-115
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- 2007
상변화 메모리에의 적용을 위한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 결정화 특성에 관한 연구
Abstract
PRAM (Phase Change Random Access Memory)은 상변화 물질의 비저항 차이를 이용한 메모리 소자로 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. 현재 상변화 물질로 사용되고 있는