한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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- Pages.53-53
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- 2007
$NaNO_3$ 전해액의 최적화로 인한 ECMP 공정 개선에 관한 연구
A study on the ECMP process improvement with optimization of $NaNO_3$ Electrolyte
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이영균
(조선대학교 전기공학과) ;
- 박성우 (조선대학교 에너지 자원 신기술 연구소) ;
- 한상준 (조선대학교 전기공학과) ;
- 이성일 (대불대학교 전기전자공학과) ;
- 정판검 (조선대학교 전기공학과) ;
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최권우
(조선대학교 에너지 자원 신기술 연구소) ;
- 서용진 (대불대학교 전기전자공학과) ;
- 이우선 (조선대학교 전기공학과)
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Lee, Young-Kyun
(Chosun Univ.) ;
- Park, Sung-Woo (Chosun Univ., Research Institute of Energy Resources Technology, Chosun Univ.) ;
- Han, Sang-Jun (Chosun Univ.) ;
- Lee, Sung-Il (Daebul Univ.) ;
- Jung, Pan-Geom (Chosun Univ.) ;
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Choi, Gwon-Woo
(Chosun Univ., Research Institute of Energy Resources Technology, Chosun Univ.) ;
- Seo, Yong-Jin (Daebul Univ.) ;
- Lee, Woo-Sun (Chosun Univ.)
- 발행 : 2007.11.01
초록
반도체 소자의 고집적화, 미세화 화로 인해 반도체의 동작속도를 증가시키기 위하여 Cu를 이용한 금속배선이 주목받게 되었으나, 높은 압력으로 인한 보은 Cu 영역에서 과잉 디슁 현상과 에로젼을 유도하고 반도체 웨이퍼위의 low-k 물질에 손상을 줌에 따라 메탈라인 브리징과 단락을 초래할 있어, Cu의 단락인 islands를 남김으로서 표면 결항을 제거하지 못한다는 단점을 가지고 있었다. 그래서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기존의 CMP에 전기화학을 결합시킴으로서 낮은 하력에서의 Cu평탄화를 달성할 수 있는 ECMP (electrochemical mechanical polishing)기술이 필요하게 되었다. 따라서 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마(ECMP)작용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 패시베이션 막의 active, passive, transient, trans-passive영역의 전기화학적 특성을 비교 분석하였으며, Cu막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS)와 X-ray Diffraction (XRD) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.
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