대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

증착된 실리콘 Film에 xeCl 엑시머 레이저 조사를 통한 도핑 방법

Doping Method by xeCl Excimer Laser Irradiation on Deposited Silicon Film

  • 조규헌 (서울대학교 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 임지용 (서울대학교 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 최영환 (서울대학교 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 지인환 (서울대학교 전기컴퓨터 공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기컴퓨터 공학부)
  • Cho, Kyu-Heon (School of Electrical Eng. & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Lim, Ji-Yong (School of Electrical Eng. & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Choi, Young-Hwan (School of Electrical Eng. & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Ji, In-Hwan (School of Electrical Eng. & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Eng. & Computer Science, Seoul National University)
  • 발행 : 2007.07.18
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초록

본 연구에서는 XeCl 엑시머 레이저를 통해서 GaN를 선별적으로 고농도 도핑 할 수 있는 새로운 방법을 제안했으며, 제안된 방법에 의해 제작된 소자는 낮은 ohmic contact 저항을 나타내었다. 증착된 실리콘 film에 XeCl 엑시머 레이저를 사용하여 GaN 위에 sputtering 함으로써 조사하였으며 레이저에 의해 조사된 영역에는 ohmic contact을 형성하였다. 기존 방법에 의한 ohmic contact 저항이 0.66 ohm-mm이었던 반면, 레이저 도핑 공정에 의한 ohmic contact 저항은 0.27 ohm-mm로 효과적으로 감소되었다. SIMS 분석을 통해 레이저 조사를 하는 동안 높은 에너지에 의해 실리콘이 GaN로 확산되었으며, ohmic contact 저항이 ohmic contact 영역 아래의 도핑 농도 증가로 인해 감소한 것을 확인했다.

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