Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2007.07a
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- Pages.1357-1358
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- 2007
Reset current characteristics of PRAM with thickness of GST thin film
상변화 박막의 두께에 따른 상변화 메모리 소자의 지우기 전류 특성
- Choi, Hong-Kyw (Korea Maritime University) ;
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Jang, Nak-Won
(Korea Maritime University)
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Kim, Hong-Seung
(Korea Maritime University)
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Lee, Seong-Hwan
(Uiduk University)
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Lee, Dong-Young
(Uiduk University)
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Mah, Suk-Bum
(Yong-In Songdam College)
- Published : 2007.07.18
Abstract
본 연구에서는 상변화 메모리 소자의 상변화 재료의 두께에 따른 열전달 현상과 지우기 전류의 변화량을 3차원 유한요소 해석 도구를 이용하여 해석하였다. 상변화 메모리의 하부전극과 상변화 소자의 접촉 부분에서 발생한 주울열은 상변화재료를 통해 상부전극 텅스텐으로 전달되어 외부로 빠져나간다. 상변화 재료 박막의 두께가
Keywords