대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

$BCl_3$/Ar 유도 결합 플라즈마 시스템을 이용한 ZnO 박막의 식각 특성

Etch properties of ZnO thin films in the $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma system

  • 우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김경태 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김종규 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Woo, Jong-Chang (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Gwan-Ha (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Kyoung-Tae (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Jong-Gyu (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University)
  • 발행 : 2007.07.18
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초록

본 연구는 ZnO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비, RF 전력, 직류 바이어스 전압과 공정 압력을 변경하면서 실험하였다. ZnO 박막의 최고 식각속도는 80%의 $BCl_{3}/(BCl_{3}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 직류 바이어스 전압, 15 mTorr의 공정 압력, $28^{\circ}C$의 기판 온도로 고정시켰을 때 50 nm/min 이었다. 이 조건에서 ZnO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.75 이었다.

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