Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2006.02a
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- Pages.145-145
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- 2006
Atomic layer epitaxy법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 특성 및 이를 이용한 양자점 LD의 발진 특성
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Choe Won-Jun
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- Kim Gwang-Ung ;
- Jo Nam-Gi ;
- Yu Seong-Pil ;
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Song Jin-Dong
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Han Il-Gi
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Park Yong-Ju
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Jo Un-Jo
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Lee Jeong-Il
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최원준
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
- 김광웅 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
- 조남기 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
- 유성필 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
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송진동
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
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한일기
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
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박용주
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
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조운조
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
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이정일
(한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터)
- Published : 2006.02.01
Abstract
Keywords