Atomic layer epitaxy법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 특성 및 이를 이용한 양자점 LD의 발진 특성

• Choe Won-Jun ;
• Kim Gwang-Ung ;
• Jo Nam-Gi ;
• Yu Seong-Pil ;
• Song Jin-Dong ;
• Han Il-Gi ;
• Park Yong-Ju ;
• Jo Un-Jo ;
• Lee Jeong-Il

• 최원준 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 김광웅 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 조남기 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 유성필 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 송진동 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 한일기 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 박용주 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 조운조 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터) ;
• 이정일 (한국과학기술연구원, 나노소자 연구센터)

• Published : 2006.02.01

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